Лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники

Современные гетероструктуры на основе A3B5 полупроводников имеют множество применений, в частности, они являются ключевым компонентом для изготовления различных типов СВЧ микросхем, необходимых для проектирования и изготовления приемопередающего модуля активно фазированных антенных решеток (АФАР). В свою очередь АФАР имеет очень широкую область применения. Использование в радиолокационных системах для радиолокационного мониторинга наземного, воздушного и морского пространства для осуществления безопасности объектов транспортной инфраструктуры гражданских наземных, воздушных и морских судов. Также АФАР могут быть применены в телекоммуникационных системах специального назначения.

Научный коллектив лаборатории перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова занимается разработкой конструкции, технологии изготовления и созданием опытных образцов гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP на подложках арсенида галлия диаметром не менее 76 мм. С помощью и на базе индустриального партнёра лаборатории (АО «ОКБ «Планета», г. Великий Новгород) разрабатываются комплекты конструкторской и технологической документации, необходимой для изготовления комплекта СВЧ микросхем для последующего проектирования и изготовления нового поколения приемопередающего модуля активных фазированных антенных решеток:

– СВЧ МИС малошумящего усилителя, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл).

– СВЧ МИС буферного усилителя, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл).

– СВЧ МИС 6-ти разрядного аттенюатора, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл).

Таким образом, детальное теоретическое и экспериментальное исследование физико-технологических подходов к созданию гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP на подложках арсенида галлия является актуальным для создания новых типов полупроводниковых приборов, недоступных в настоящее время в РФ. Мировой интерес подтверждается множеством компаний изготавливающих такие СВЧ микросхемы и мировым рынком более чем в десятки миллиардов долларов США в год, что подчеркивает актуальность исследований в данном направлении и необходимость стимулирования развития этого направления в РФ.

Исследование температурной зависимости темновых токов PIN-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In0.83Ga0.17As/InP с метаморфными буферными слоями;2024; Физика и техника полупроводников; Пирогов Евгений Викторович, Новиков Иннокентий Игоревич, Соболев Максим Сергеевич, Василькова Елена Игоревна, Баранцев Олег Вячеславович.

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики; 2024; Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки; Баранцев Олег Вячеславович, Василькова Елена Игоревна, Пирогов Евгений Викторович, Соболев Максим Сергеевич, Шубина Ксения Юрьевна.

Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов СВЧ-микроэлектроники в интересах российской промышленности. Госзадание

ТЕКСТ

Соболев Максим Сергеевич

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.