Лаборатория нанофотоники

Лаборатория была основана 11.12.2009 г.

Основные направления исследований:

– Экспериментальные исследования оптических и структурных свойств полупроводниковых гетероструктур;

– Экспериментальные исследования оптических свойств полупроводниковых оптических резонаторов и микрорезонатров;

– Экспериментальные исследования характеристик полупроводниковых светоизлучающих приборов, в том числе микролазеров;

– Теоретическое моделирование физических явлений, протекающих в полупроводниковых наногетероструктурах и светоизлучающих приборах на их основе;

– Разработки новых полупроводниковых светоизлучающих приборов на основе полупроводниковых гетероструктур.

Лаборатория участвует в подготовке бакалавров по направлению «Прикладные математика и физика», магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника» и аспирантов по научной специальности «Физика полупроводников».

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon - and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots; Optics & Laser Technology; 2025; Optics & Laser Technology; Зубов Федор Иванович; Максимов Михаил Викторович. Ток прозрачности и спектр усиления InGaAs/GaAs квантовых яма-точек; 2025; Журнал прикладной спектроскопии / Journal of Applied Spectroscopy; Харченко Антон Александрович; Максимов Михаил Викторович.

Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs;2024; Письма в журнал технической физики / Technical Physics Letters; Симчук Ольга Игоревна; Максимов Михаил Викторович; Зубов Федор Иванович.

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010−1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек;2024; Физика и техника полупроводников / Semiconductors; Харченко Антон Александрович; Максимов Михаил Викторович; Симчук Ольга Игоревна.

Impact of modal gain and waveguide design on two-state lasing in quantum well-dot lasers;2024; Optics Letters; Максимов Михаил Викторович; Зубов Федор Иванович; Харченко Антон Александрович.

Зависимость коэффициента распространения пучка от конструкции волновода торцевых диодных лазеров; 2024; Оптика и спектроскопия / Optics and Spectroscopy; Максимов Михаил Викторович.

Improved power and temperature performance of half-disk diode microlasers;2024; Optics Letters; Максимов Михаил Викторович; Зубов Федор Иванович.

Фотонные схемы для передачи и обработки информации на основе управляемого переключения длины волны генерации в лазерах на квантовых точках. Грант

Разработка и исследование полупроводниковых оптоэлектронных приборов с улучшенными характеристиками на основе новых конструкций резонаторов и волноводов с наноструктурами. Госзадание

Стенд для измерения характеристик инжекционных светоизлучающих приборов

Стенд предназначен для исследования следующих основных характеристик оптоэлектронных приборов:

– вольтамперные характеристики;

– ваттамперные характеристики;

– спектры излучения оптоэлектронных приборов;

– дальние поля излучения.

Измерения могут проводиться, как при непрерывной токовой накачке (диапазон токов от 0 до 20 А), так и при импульсной (диапазон токов от 0 до 40 А, фронты нарастания импульсов <50 нс).

Температура исследуемых приборов контролируется в диапазоне от 10 до 200 °С.

В стенде задействовано следующее основное оборудование:

– монохроматор Spectral Products DK 480, спектральный диапазон чувствительности дифракционных решеток от 300 нм до 3 мкм, предельное разрешение 30пм;

– синхронный детектор Stanford Research Systems SR510;

– осциллограф Tektronix TDS2024B с полосой пропускания 200МГц, 4 канала.

– 3-х канальный программируемый источник питания National Instruments на базе модуля PXI-4110;

– мультиметры National Instruments на базе модулей PXI-4065;

– термоконтроллер GeoLab на базе элемента Пельте;

– термостол Термопро, диапазон задаваемых температур от 50 до 350С;

– калиброванные германиевые и кремниевые детекторы Teledyne Judson Technologies и Thorlabs, охватывают спектральный диапазон от 400 до 1800 нм.

– интегрирующая сфера Thorlabs IS200;

– комплект держателей и подвижек Thorlabs и Standa.

– микроскоп Микромед с ПЗС камерой;

Автоматизация измерительных процессов выполнена на базе пакета LabVIEW.

Комплекс для сканирующей ближнепольной оптической спектроскопии

Автоматизированный комплекс для спектроскопии излучения, пропускания и отражения полупроводниковых гетероструктур в диапазоне длин волны 410 - 2400 нм.

Комплекс предназначен для автоматизированного исследования оптических свойств полупроводниковых и диэлектрических материалов при использовании перестраиваемого лазера c оптическим параметрическим осциллятором (диапазон длин волн 410 - 2400 нм) в импульсном режиме. Также измерения проводятся при оптической накачке образцов в непрерывном режиме YAG:Nd лазером мощностью 20мВт с длинной волны излучения 527нм и He-Cd лазером 10мВт с длинной волны излучения 325 нм.

Излучение накачки модулируется с помощью прерывателя Thorlabs. Исследования могут проводиться при комнатной температуре, либо при температуре жидкого азота (77К). Автоматизация измерительных процессов выполнена на базе пакета LabVIEW.

В стенде задействовано следующее основное оборудование:

– перестраиваемый лазер SolInstruments LF117 OPO 2200 CHAMELEON (ВВО Type II)

– монохроматор «Spectral Products»;

– синхронный детектор «Stanford Research Systems»;

– лазер DTL-413 (527 нм);

– He-Cd УФ-лазер «PLASMA» (320 нм);

– прерыватель оптического луча «Thorlabs»;

– InGaAs и кремниевые одноканальные детекторы «Teledyne Judson Technologies».

Установка исследования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов на базе автоматизированного быстродействующего монохроматора с высоким оптическим разрешением (0,01 нм

Установка предназначена детектирования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов (в том числе полупроводниковых наногетероструктур на основе III-V соединений) в спектральном диапазоне 185 нм-1700нм с высоким спектральным разрешением (0,008 нм) и пространственным разрешением до (1 мкм). Температура исследуемых образцов контролируется в диапазоне от 77 до 450 K.

Измерения проводятся при оптической накачке образцов YAG:Nd лазером мощностью до 500мВт с длинной волны излучения 527 нм или электрической накачки в непрерывном режиме. Для детектирования сигнала в ближнем инфракрасном диапазоне используется многоканальный InGaAs детектор. Для детектирования сигнала в видимом диапазоне используется одноканальный Si детектор, при этом излучение накачки модулируется с помощью прерывателя оптического луча.

В стенде задействовано следующее основное оборудование:

– монохроматор «HORIBA» FHR1000;

– синхронный детектор «Stanford Research Systems»;

– лазер DTL-413 (527 нм);

– InGaAs ПЗС-матрица «HORIBA» «Symphony»;

– кремниевый одноканальный детектор «Teledyne Judson Technologies».

– прерыватель оптического луча «Thorlabs»

– источник питания Keithley 2280S

– комплект объективов (х10, х50, х100)

– комплект оптических фильтров и стекол, поляризаторы и призмы Глана.

Максимов Михаил Викторович

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.