Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GENIII
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии предназначена для синтеза планарных слоев и структур пониженной размерности из полупроводниковых соединений А3В5. Установка укомплектована источниками материалов 3-ой группы Ga, In, Al, 5-ой группы As, P, N, а также легирующими примесями Si и Be. В вакуумной камере установки встроены система дифракции быстрых электронов на отражение, а также квадрупольный масс-спектрометр.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии RIBER MBE49 (Riber, Франция)
Установка Riber MBE49 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии любые полупроводниковые структуры на основе материалов InyAlxGa1-x-yAs. В качестве легирующей примеси n-типа используется кремний, Si; в качестве легирующей примеси p-типа используется бериллий, Be.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GEN 200 (Veeco,США)
Установка Veeco GEN200 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковые структуры на основе материалов InyAlxGa1-x-yN. Для получения атомарного азота, необходимого для роста слоев III-N, используется плазменный высокочастотный источник.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21 EB 200 (Riber, Франция)
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21 EB200 предназначена для решения большого спектра научно-исследовательских задач. Установка позволяет осуществлять синтез полупроводниковых гетероструктур на основе A3B5 соединений, а также кремния и германия.
Установки молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21TM (Riber, Франция)
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) Compact 21TM фирмы Riber (Франция) предназначена для синтеза полупроводниковых соединений типа A3B5. В отличие от стандартных МПЭ установок, данный комплекс оборудования обладает рядом уникальных характеристик. Наличие дополнительной камеры, предназначенной не только для плазменной очистки поверхности ростовых подложек, но и для осаждения тонких слоев металлов, например, необходимых для создания капель катализаторов роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, а также in situ осаждения контактных слоев, существенно расширяют возможности данного оборудования. С другой стороны использование данной МПЭ установки позволяет осуществлять синтез уникальных материалов, поскольку она укомплектована следующим набором ростовых ячеек: Ga, In, Al, P, As, Sb, N, Si, Be.
Установки молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 12 (Riber, Франция)
Установка Riber Compact 12 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковые структуры на основе материалов InN, AlN, GaN. В качестве легирующих примесей используются Si и Mg.
Установка высокочастотного магнетронного напыления Auto 500 RF Boc Edwards
Установка предназначена для вакуумного магнетронного напыления металлов и диэлектрических покрытий различного функционального назначения: просветляющие покрытия, контактные площадки, маски для фотолитографии, прозрачные проводящие покрытия. Основной особенностью метода является высокая адгезия покрытий и большая скорость напыления. Благодаря многоканальной системе напуска газа, покрытия можно осаждать с помощью реактивного напыления. Предусмотрена система нагрева подложек до 200°С. Контроль толщины покрытия осуществляется методом микробаланса кварцевого кристалла.
Установка подготовки деионизованной воды Millipore
Предварительно очищенная методами дистилляции или обратного осмоса вода из специального резервуара поступает в модуль очистки воды в картриджах, оборудованных УФ-облучение для минимизации содержания органических примесей и микроорганизмов в очищенной воде. Далее в точке отбора вода проходит окончательную (финишную) очистку с помощью специализированных картриджах. Электрическое сопротивление очищенной воды составляет 18,2 МОм/см при 25 оС.
Комплекс для нанесения фото- и электронных резистов Suss Delta 6
Комплекс оборудования для нанесения оптических и электронных резистов методов центрифугирования с последующим контролируемым термическим отжигом на горячих плитках. Встроенный контроллер в установку центрифугирования позволяет задавать технологические параметры раскрутки резистов, включая, скорость, ускорение и время вращения.
Установка проекционной фотолитографии Suss MJB4
Ручная установка совмещения и экспонирования предназначена для контактной литографии на пластинах диаметром до 76 мм. Установка литографии характеризуется субмикронным разрешением, в пределе достигающим 0,5-0,8 мкм, за счет использования оптики с функцией уменьшения дифракции, компенсирующей нежелательные эффекты при литографии с микрозазором или в контактном режиме. Оборудование используется в производстве МЭМС и оптоэлектроники, микрофлюидных чипах. Система поддерживает режимы работы для наноимпринт-литографии в УФ. Установка MJB4 оборудована системой совмещения сверху с ручным управлением.
Установка для напыления серии Auto 500 (BOC Edwards, Великобритания)
Установка Auto 500 предназначена для нанесения в вакууме металлических пленок, в том числе высокочистых пленок металлов с высокой температурой плавления, термическим методом и с помощью распыления электронным пучком. Установка Auto 500 имеет две позиции термического напыления и 4 позиции распыления электронным пучком. Для получения высокой адгезии напыляемого материала к поверхности полупроводника, установка оснащена возможностью чистки (активизации) поверхности структур в аргоновой плазме, а также подогревом столика. Установка Auto 500 позволяет одновременно напылять металлические пленки на 5 подложек 2 или 3 дюйма. Однородность напыления достигается за счет вращения столика.
Установка плазменной очистки Plasma Finish
Данная установка представляет собой универсальную систему плазменной очистки, предназначенную для удаления загрязнений, оксидов и др. составов перед последующими технологическими операциями Установка оснащена массовым расходомером газов, PLC-контроллером, что обеспечивает возможность программирования и хранения режимов работы, а также безопасность процесса очистки.
Установка для быстрого термического отжига контактов JetFirst100 (Jipelec, Франция)
JetFirst100предназначена для проведения термической обработки полупроводниковых структур в среде N2, Ar, N2+Н2(3-5%) а также на воздухе. Диапазон рабочих температур в камере: 20 °С – 1300 °С. Точность поддержания температуры: ±2 °С. Размер образцов для термообработки: от 10 мм до 100 мм. Максимальная скорость нагрева - 200 °С/сек.Установка оснащена компьютерным управлением, позволяющим задавать и контролировать в режиме реального времени температурно-временные параметры термообработки, расход газов, а также сохранять данные по термообработке в электронном виде.
Установка лазерной фотолитографии Heidelberg DWG 66FS
Лазерный генератор изображений характеризуется разрешением вплоть до 0,6 мкм и предназначен для задач НИОКР, мелкосерийного и опытного производства. Литограф используется при формировании топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве структур фотоники, электроники, интегрированной оптики, биочипах и др. Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован оптической интерферометрической системой позиционирования подложки.
Установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalabsystem 100 PECVD Oxford instruments
Установка предназначена для травления полупроводниковых и диэлектрических слоев. Установка плазмохимического травления с индуктивно связанной плазмой позволяет обеспечивать высокие скорости травления с низким уровнем радиационных дефектов. Установка имеет восемь газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Вакуумная камера откачивается высокопроизводительным турбомолекулярным насосом. Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Год выпуска: 2010.
Установка для плазмохимического травления Plasmalab System100 ICP 380 (Oxford instruments, Великобритания)
Установка предназначена для травления полупровдниковых и диэлектрических слоев. Возможна обработка пластин диаметром до 200 мм. Установка плазмо-химического травления с индуктивно связанной плазмой позволяет обеспечивать высокие скорости травления одновременно с низким уровнем радиационных дефектов. Установка имеет восемь газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Конструкция камеры предусматривает как нагрев, так и охлаждение подложкодержателя.
Установка шлифовки и полировки пластин Logitech LP50 (Logitech, Великобритания)
Logitech LP50 - это установка для шлифовки и полировки пластин, оснащенная тремя рабочими станциями. Установка позволяет обрабатывать пластины диаметром до 150 мм и достигать исключительно высокого качества шлифовки и полировки образцов. Управление установкой осуществляется с помощью джойстика и сенсорного дисплея, что позволяет оператору контролировать все параметры, обеспечивая тем самым высокое качество обработки и повторяемость процесса. Рабочие станции поддерживают различные настройки скорости. Встроенная автоматическая система подачи абразива обеспечивает эффективную доставку суспензии. Инфракрасный капельный детектор предотвращает сухую обработку и разрушение образца.
АСМ Раман Bruker
Комплекс оборудования объединяет в себе возможности двух мощных методик по исследованию поверхности: атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света (Раман-спектроскопия), а также локальной фотолюминесценции. Система оборудована моторизованным столиком, что обеспечивает картирование свойств образцов с высоким пространственным разрешением. Данное оборудование позволяет визуализировать топологию образца с локальным сопоставлением информации о химическом составе, фазой и кристаллической структуре.
Эллипсометр
Лазерный эллипсометр обладает возможностями проведения измерений пленок под фиксированным углом падения излучения для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглощения) на различных типах поверхностей на одной длине волны с точностью менее ангстрема.
Фотоэнергетический комплекс с системой слежения за солнцем
Назначение – исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей в реальных условиях. В состав фотоэлектрического комплекса входят следующие компоненты: 1. Система слежения за Солнцем. Точность слежения 0,1 угл. градуса. Суммарная площадь устанавливаемых фотоэлектрических модулей 12 м2. Изготовитель лаб. ВИЭ (2010 г.).
Установка измерения спектральных характеристик фотопреобразовательных структур
Установка позволяет проводить измерение спектральных характеристик фотоприемных и фотопреобразовательных структур, а также проводить измерение спектров пропускания и отражения.
Сканирующий электронный микроскоп Zeiss Supra 25
Данный микроскоп позволяет производить визуализацию и исследования микро- и наноструктур на проводящих и непроводящих подложках с высоким пространственным разрешением. Приставка Raith для управления разверткой электронным пучком позволяет проводить электронную литографию с разрешением порядка 20 нм, в том числе на непроводящих подложках.
Профилометр AmBios XP-1
Профилометр позволяет проводить сканирование поверхности образца для анализа высоты ступеней или шероховатости поверхности. Зонд сканирует поверхность образца с заданной скоростью с заданной силой прижима. Профилометр оснащен цветной камерой и столом перемещением образца.
Оптический микроскоп высокого разрешения Vistek INM 100
Микроскоп предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области оптической микроскопии, а также контроля пластин и фотошаблонов в видимом диапазоне излучения. Микроскоп оснащен цветной цифровой камерой, а также объективами с увеличением 5х, 10х, 50х, 100х и 150х. В состав входит программное обеспечение для измерения линейных размеров элементов, обработки и сохранения изображений.
Многофункциональный измерительный комплекс на основе азотного криостата
Позволяет проводить широкий спектр исследований электрофизических свойств фотопреобразовательных структур в диапазоне температур 65 …350 К.Позволяет проводить широкий спектр исследований электрофизических свойств фотопреобразовательных структур в диапазоне температур 65 …350 К.
Импульсный имитатор солнечного излучения
Импульсный тестер представляет собой комбинацию импульсного источника излучения (на основе ксеноновой лампы) и электронного измерительного устройства. Предназначен для измерения вольт-амперных характеристик фотопреобразовательных структур в широком диапазоне кратности солнечного излучения
Монокристальный дифрактометр Bruker Kappa APEX DUO
Стенд для измерения характеристик инжекционных светоизлучающих приборов
Стенд предназначен для исследования следующих основных характеристик оптоэлектронных приборов:
– вольтамперные характеристики;
– ваттамперные характеристики;
– спектры излучения оптоэлектронных приборов;
– дальние поля излучения.
Измерения могут проводиться, как при непрерывной токовой накачке (диапазон токов от 0 до 20 А), так и при импульсной (диапазон токов от 0 до 40 А, фронты нарастания импульсов <50 нс).
Температура исследуемых приборов контролируется в диапазоне от 10 до 200 °С.
В стенде задействовано следующее основное оборудование:
– монохроматор Spectral Products DK 480, спектральный диапазон чувствительности дифракционных решеток от 300 нм до 3 мкм, предельное разрешение 30пм;
– синхронный детектор Stanford Research Systems SR510;
– осциллограф Tektronix TDS2024B с полосой пропускания 200МГц, 4 канала.
– 3-х канальный программируемый источник питания National Instruments на базе модуля PXI-4110;
– мультиметры National Instruments на базе модулей PXI-4065;
– термоконтроллер GeoLab на базе элемента Пельте;
- термостол Термопро, диапазон задаваемых температур от 50 до 350С;
– калиброванные германиевые и кремниевые детекторы Teledyne Judson Technologies и Thorlabs, охватывают спектральный диапазон от 400 до 1800 нм.
- интегрирующая сфера Thorlabs IS200;
- комплект держателей и подвижек Thorlabs и Standa.
- микроскоп Микромед с ПЗС камерой;
Автоматизация измерительных процессов выполнена на базе пакета LabVIEW.
Комплекс для сканирующей ближнепольной оптической спектроскопии
Автоматизированный комплекс для спектроскопии излучения, пропускания и отражения полупроводниковых гетероструктур в диапазоне длин волны 410 - 2400 нм
Комплекс предназначен для автоматизированного исследования оптических свойств полупроводниковых и диэлектрических материалов при использовании перестраиваемого лазера c оптическим параметрическим осциллятором (диапазон длин волн 410 - 2400 нм) в импульсном режиме. Также измерения проводятся при оптической накачке образцов в непрерывном режиме YAG:Nd лазером мощностью 20мВт с длинной волны излучения 527нм и He-Cd лазером 10мВт с длинной волны излучения 325 нм. Излучение накачки модулируется с помощью прерывателя Thorlabs. Исследования могут проводиться при комнатной температуре, либо при температуре жидкого азота (77К). Автоматизация измерительных процессов выполнена на базе пакета LabVIEW.
В стенде задействовано следующее основное оборудование:
– перестраиваемый лазер SolInstruments LF117 OPO 2200 CHAMELEON (ВВО Type II)
- монохроматор "Spectral Products";
– синхронный детектор "Stanford Research Systems";
– лазер DTL-413 (527 нм);
– He-Cd УФ-лазер "PLASMA" (320 нм);
– прерыватель оптического луча "Thorlabs";
– InGaAs и кремниевые одноканальные детекторы "Teledyne Judson Technologies".
Установка исследования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов на базе автоматизированного быстродействующего монохроматора с высоким оптическим разрешением 0,01 нм.
Установка предназначена детектирования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов (в том числе полупроводниковых наногетероструктур на основе III-V соединений) в спектральном диапазоне 185 нм-1700нм с высоким спектральным разрешением (0,008 нм) и пространственным разрешением до (1 мкм). Температура исследуемых образцов контролируется в диапазоне от 77 до 450 K.
Измерения проводятся при оптической накачке образцов YAG:Nd лазером мощностью до 500мВт с длинной волны излучения 527 нм или электрической накачки в непрерывном режиме. Для детектирования сигнала в ближнем инфракрасном диапазоне используется многоканальный InGaAs детектор. Для детектирования сигнала в видимом диапазоне используется одноканальный Si детектор, при этом излучение накачки модулируется с помощью прерывателя оптического луча.
В стенде задействовано следующее основное оборудование:
– монохроматор "HORIBA" FHR1000;
– синхронный детектор "Stanford Research Systems";
– лазер DTL-413 (527 нм);
– InGaAs ПЗС-матрица "HORIBA" "Symphony";
– кремниевый одноканальный детектор "Teledyne Judson Technologies".
– прерыватель оптического луча "Thorlabs"
- источник питания Keithley 2280S
- комплект объективов (х10, х50, х100)
- комплект оптических фильтров и стекл
- поляризаторы и призмы Глана
Установка лазерного контроля поверхностных дефектов Surfscan 4000 (Tencor Instruments, США)
Установка Surfscan 4000 (Surfscan 4000 Wafer Surface Defect and Contamination Analyzer) позволяет быстро измерить число поверхностных дефектов, расположение дефектов по пластине и распределение дефектов по размерам бесконтактным способом. Установка позволяет измерять любые непрозрачные полупроводниковые пластины радиусом до шести дюймов. Размеры измеряемых дефектов варьируются от 0.06 мкм2 до 255 мкм2.
Установка позволяет получать карту дефектов, гистограмму распределения дефектов по размерам и карту haze с X-Y адресацией.
Установка интерференционного измерения прогиба и шероховатости пластин Logitech GI30 (Logitech, Великобритания)
Установка измерение прогиба полупроводниковых структур – установка Logitech GI30 позволяет измерять прогиб структур с точность до 1мкм и получать карту распределения прогиба по пластине, диаметр пластин до 150 мм, интервал измерения отклонения от плоскостности от 0 до 30 мкм.
ПрофилометрAmbiosXP-1 (AmbiosTechnology , США)
Профилометр Ambios XP-1 производит измерение величин ступенек после процессов литографии, травления, металлизации. Технология линейного сканирования рабочего столика и оптически плоская поверхность (6 A/мм) гарантируют высокую точность измерений. Повторяемость результатов не менее 10A или 0.1% от номинальной высоты ступеньки. Диапазон измеряемых значений составляет от 5 нм до 100 мкм.
Эллипсометр Horiba Jobin Yvon (Jobin Yvon, Франция)
Эллипсометр Horiba Jobin Yvon позволяет получать информацию об оптических характеристиках, например, определять показатель преломления среды, и толщинах пленок, в том числе тонких металлических пленок. В качестве источника излучения используется гелий-неоновый (HeNe) лазер с длиной волны λ=638.2 нм.
Установка для измерения параметров полупроводниковых материалов на эффекте Холла Ecopia HMS 3000 (Ecopia Corp., Корея)
Установка для измерения параметров полупроводниковых материалов на эффекте Холла HMS-3000 предназначена для определения удельного электрического сопротивления, типа полупроводниковых материалов, концентрации и подвижности основных носителей заряда полупроводниковых материалов и полупроводниковых структур.
Прибор для бесконтактного измерения сопротивления LEI 1510A SA (Lehighton Electronics Inc., США)
Прибор для бесконтактного измерения сопротивления LEI 1510A SA предназначен для измерения удельного (при известной толщине) и слоевого сопротивления полупроводниковых материалов вихретоковым методом
Микроскоп Leica INM 100 (Leica Microsystems GmbH, Германия)
Инспекционная станция Leica INM 100 позволяет детектировать качество поверхности образца с разрешением 5-150 крат, размерами вплоть до 6 дюймов с возможностью использования White/Dark Field и записью на компьютер полученных изображений.
Микроскоп Leica INM 100 – это полуавтоматический оптический микроскоп высокого разрешения.
Дифрактометр рентгеновский ДРОН-8 (Буревестник, Россия)
Многофункциональный рентгеновский дифрактометр с вертикальным q-q гониометром Дрон 8
Установка фотолюминесценции и оптического отражения Accent RPM Sigma (Accent Optical Technologies, США)
Установка для измерения спектров фотолюминесценции RPM Sigma предназначена для бесконтактного неразрушающего измерения длин волн линий спектров фотолюминесценции (ФЛ) и спектров отражения.
Микрозондовая установка SUSS MicroTec модели РМ 8 (SUSS MicroTec, Германия)
Микрозондовая установка PM8 оснащена микроскопом Mitutoyo FS70Z-S с увеличением х20, х100, х200, х500 и двукратным оптическим зумом, тремя 3х координатными подвижками для позиционирования микрозондов (игл) PH150 с вакуумным креплением. Предметный столик микрозондовой установки диаметром 200 мм оснащён механическим подъёмным механизмом с ручным приводом (ход 10мм), возможностью вакуумной фиксации и ручного перемещения в горизонтальной плоскости в диапазоне 200х200 мм, а также точного перемещения в диапазоне 10х10мм с точностью < 1 мкм.
Микрозондовая установка может соединяться с различным измерительным оборудованием: LCR-измерителем E4980A, анализатором цепей E8364B и анализатором полупроводниковых приборов AgilentB1500A.
Прецизионный измеритель LCR Agilent E4980A (Agilent Technologies, USA)
Универсальный измеритель LCR Agilent E4980A предназначен для входного контроля электронных компонентов, контроля качества и для лабораторного применения
Анализатор полупроводниковых приборов Agilent B 1500A (Agilent Technologies, USA)
Анализатор полупроводниковых приборов Agilent B 1500A представляет собой одноблочный прибор нового поколения, предназначенный для параметрических измерений и анализа параметров полупроводниковых приборов на постоянном и переменном напряжении.
Конфокальный флуоресцентный микроскоп с диском Нипкова для анализа флуоресцентного сигнала с высоким временным разрешением Zeiss Observer Z1 (Zeiss, Германия)
Прибор для исследования белков с помощью модифицированной металлической поверхности с использованием являения поверхностного плазмонного резонанса BiaCore T200
Прибор для измерения спектров кругового дихромизма Chirascan (Applied Photophysics)
Приборы для гель-электрофореза (BioRad) для разделения белков и фрагментов ДНК; трансиллюминатор для детектирования результатов гель-электрофорез
Спектрофотометр для измерения UV-Vis спектров, возможность измерения образцов в кювете и каплях объемом от 2 мкл NanoDrop 2000
Прибор для проведения электропорации клеток ECM 830
Клеточные инкубаторы Galaxy 48S (Eppendorf, Германия)
Ламинарные шкафы (Lam Systems, Россия)
Ультрацентрифуга для разделения частиц по массам (размерам) (до 100 000 об./мин). (Beckman Coulter)
