Лаборатория наноэлектроники

Лаборатория является одной из старейших лабораторий Академического университета. Уникальный парк научного оборудования лаборатории включает в себя установки, как исследовательского класса, так и промышленного типа с групповой загрузкой пластин. Это позволяет решать широкий круг задач не только фундаментального, но и прикладного характера.

Основные направления исследований:

Основными направлениями работы лаборатории являются исследования в области физики полупроводниковых наноструктур на основе A3B5 соединений, разработке технологий их синтеза с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии, теоретическому моделированию процессов их формирования и свойств, их диагностике и созданию на их основе новой элементной базы электроники. В том числе, в лаборатории ведется разработка методов эпитаксиального роста полупроводниковых наноструктур:

– на основе А3N соединений (с использованием плазменной активации азота на различных подложках);

– гетероструктур на основе GaAs (решёточно-согласованных, псевдоморфных и метаморфных).

Также ведутся исследования по интеграции полупроводниковых структур A3B5 с кремнием, основным полупроводниковым материалом современной электроники.

Были разработаны технические условия для выпуска псевдоморфных гетероструктур на подложках GaAs и InP для создания приборов СВЧ-электроники. Кроме того, в лаборатории ведутся работы в области теории дифракции, которые привели к созданию пакета компьютерных программ PCGrate® используемого для разработки и аттестации спектральных приборов международных космических станций: Hubble Space Telescope, Solar-B (Hinode), Constellation-X (IXO), аппаратура Кортес на МКС. Исследования и разработки осуществляются в сотрудничестве с ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Институтом физики полупроводников сибирского отделения РАН, МИЭТ, АО «НПП «Исток» им. Шокина», ПАО «Микрон», АО «НПП «Салют», Фондом «Сколково», Сколковским институтом науки и технологий, а также с целым рядом зарубежных научных центров и университетов.

Comparative studies of GaN, n-GaN and n+-GaN contact layers on GaN/c-Al2O3 virtual substrates synthesized by PA MBE; Optical materials; 2024; Соболев Максим Сергеевич, Тимошнев Сергей Николаевич, Мизеров Андрей Михайлович. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально-доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN; Конденсированные среды и межфазные границы; 2024; Соболев Максим Сергеевич, Мизеров Андрей Михайлович, Тимошнев Сергей Николаевич.

Characterization of the p-NiO/n-GaN heterojunction and development of ultraviolet photodiode; 2024; Materials Science in Semiconductor Processing; Воробьев Александр Андреевич, Эннс Яков Борисович, Тимошнев Сергей Николаевич, Мизеров Андрей Михайлович, Уваров Александр Вячеславович, Никитина Екатерина Викторовна.

GaN based ultraviolet narrowband photodetectors; 2024; Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки; Никитина Екатерина Викторовна, Шубина Ксения Юрьевна, Мизеров Андрей Михайлович, Мохов Дмитрий Владимирович, Синицкая Олеся Алексеевна, Баранов Артем Игоревич.

Ultrathin GaN epitaxial layers for UV sensing; 2024; 2024 International Conference Laser Optics (ICLO). – IEEE; Никитина Екатерина Викторовна, Шубина Ксения Юрьевна, Мизеров Андрей Михайлович, Мохов Дмитрий Владимирович, Синицкая Олеся Алексеевна, Баранов Артем Игоревич.

Influence of the doping level in the absorption layer of InGaAs/InP 2.5 μm photodetectors on their electrical propertie;2024; St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics; Новиков Иннокентий Игоревич, Шубина Ксения Юрьевна, Карачинский Леонид Яковлевич, Пирогов Евгений Викторович, Баранцев Олег Вячеславович, Василькова Елена Игоревна, Соболев Максим Сергеевич, Баранов Артем Игоревич.

2,5 um photodetectors based on MBE grown InAlAs/InGaAs/InP metamorphic heterostructures; 2024; 2024 International Conference Laser Optics (ICLO). – IEEE; Пирогов Евгений Викторович, Василькова Елена Игоревна, Баранцев Олег Вячеславович, Шубина Ксения Юрьевна, Соболев Максим Сергеевич, Новиков Иннокентий Игоревич, Карачинский Леонид Яковлевич.

Теоретическое и экспериментальное исследование физико- технологических подходов к созданию оптических сенсоров и излучателей для ИК, СВЧ и ТГц спектральных диапазонов на основе полупроводниковых материалов А3В5 (промежуточный, этап 2) . Госзадание

Многопереходные солнечные элементы на основе материалов GaPN(As) на подложках кремния. Грант

Исследование электрооптических свойств гетероперехода n-GaN/p-NiO для создания высокоэффективных датчиков УФ излучения. Грант

ТЕКСТ

Телефон: +7(812)448-69-80 (доб. 5699)

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.