Лаборатория эпитаксиальных нанотехнологий

Лаборатория создана в 2012 году с целью разработки принципиально новых технологий на основе метода молекулярно-пучковой эпитаксии, а также литографических методов, для задач опто-, микро- и наноэлектроники.

Коллектив лаборатории участвует в работе российских и международных проектов, в том числе Российского научного фонда, федеральной целевой программы «Научные и педагогические кадры инновационной России», проектах РФФИ, программах фундаментальных исследований Президиума РАН и отделений РАН, проектах 7 Европейской рамочной программы и др.

Основные направления исследований:

Экспериментальные исследования процессов роста полупроводниковых гетероструктур;

Экспериментальные исследования процессов роста полупроводниковых наноструктур, включая квантовые точки и нитевидные нанокристаллы;

Экспериментальные исследования характеристик полупроводниковых структур;

Исследование процессов создания прототипов приборов, включая пост-ростовые технологии;

Лаборатория участвует в подготовке магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника» и аспирантов по научной специальности «Физика полупроводников».

Lead Catalyzed GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy; 2024; Nanomaterials; Штром Игорь Викторович; Сошников Илья Петрович; Резник Родион Романович; Илькив Игорь Владимирович; Цырлин Георгий Эрнстович.

Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si;2024; 2024 International Conference Laser Optics (ICLO); Илькив Игорь Владимирович; Цырлин Георгий Эрнстович; Лендяшова Вера Вадимовна.

Photoluminescence enhancement of InGaN core-shell nanowires via wet chemical treatment;2024; 2024 International Conference Laser Optics (ICLO); Кулагина Анастасия Сергеевна; Гридчин Владислав Олегович; Резник Родион Романович; Самсоненко Юрий Борисович; Лендяшова Вера Вадимовна; Цырлин Георгий Эрнстович; Шугабаев Талгат.

Instantaneous growth of single monolayers as the origin of spontaneous core-shell InxGa1-xN nanowires with bright red photoluminescence;2024; Nanoscale Horizons; Котляр Константин Павлович; Цырлин Георгий Эрнстович; Резник Родион Романович; Гридчин Владислав Олегович.

Influence of the wet-chemical treatment on the optical and structural properties of core-shell InGaN nanowires;2024; St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics; Хребтов Артем Игоревич; Кулагина Анастасия Сергеевна; Шугабаев Талгат; Лендяшова Вера Вадимовна.

Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100); 2024; Письма в Журнал технической физики;Корякин Александр Александрович; Котляр Константин Павлович; Лендяшова Вера Вадимовна; Цырлин Георгий Эрнстович.

Технологии синтеза светоизлучающих III-V наноструктур; совместимые с кремниевой платформой. Госзадание

Исследование процессов роста и свойств гибридных наноструктр при молекулярно-пучковой эпитаксии Госзадание

Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез; свойства и оптоэлектронные приложения. Грант

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 12, оснащенная плазменным источником азота, источниками Al, Ga, In для роста III-N материалов и легирующими источниками Si и Mg для создания оптоэлектронных устройств.

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21, оснащенная плазменным источником азота, источником мышьяка и фосфора, источниками Al, Ga, In для роста III-V материалов и легирующими источниками Si и Be для создания оптоэлектронных устройств.

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 21EB200, оснащенная плазменным источником азота, источником мышьяка и фосфора, источниками Al, Ga, In для роста III-V материалов, легирующим источником Si, а также источниками Si и Ge с электронно-лучевыми испарителями для создания оптоэлектронных устройств.

Цырлин Георгий Эрнстович

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.